三星年度代工論壇干貨，首發(fā)17nm專業(yè)工藝。

芯東西10月8日報道，在本周剛剛舉行的第五屆三星晶圓代工年度論壇（Samsung Foundry Forum 2021）上，三星電子總裁兼代工業(yè)務負責人Siyoung Choi公布了有關3/2nm GAA晶體管量產計劃、三星RF射頻平臺和其在美建廠的情況。 

Siyoung Choi宣布，三星首批3nm芯片將于2022年上半年開始生產，而2nm工藝節(jié)點將于2025年進入量產。在本次活動上，三星電子還首次推出了17nm FinFET專業(yè)工藝技術，該工藝比28nm工藝性能提升了39%，功率效率提高了49%。以下是芯東西對Siyoung Choi完整演講的編譯、整理。 

本文福利：三星宣布其基于GAA 技術的3nm 制程成已成功流片，這是半導體革命一個新的里程碑事件。推薦精品報告《三星GAA新技術成功流片延續(xù)摩爾定律及全球半導體行業(yè)高景氣》?？稍诠娞柫奶鞕诨貜完P鍵詞【芯東西184】獲取。 

01.預計2022上半年3nm量產，性能提升30%

在晶圓代工論壇上，Siyoung Choi談道：“我們將提高整體產能并引領最先進的技術，同時進一步擴大硅片規(guī)模并通過應用繼續(xù)技術創(chuàng)新?！?nbsp;

他提到自2017年以來，三星電子的制程工藝每年都有所升級，而三星電子代工業(yè)務將加強節(jié)點制程多樣化、新晶圓廠產能擴張和提升代工服務等領域。 

▲三星電子代工產品迭代圖

Siyoung Choi宣布，2022年上半年，三星電子將開始生產首批3nm芯片，第二代3nm芯片預計將于2023年開始生產。 

三星電子的3nm GAA工藝采用了MBCFET晶體管結構，與5nm工藝相比，其面積減少了35%，性能提高了30%且功耗降低了50%。Siyoung Choi稱，隨著工藝成熟度的提高，三星電子3nm工藝良率正在接近目前量產的4nm工藝水平。 

相比之下，今年6月臺積電總裁魏哲家在2021年臺積電技術論壇上宣布，其3nm芯片將按計劃于2022年下半年開始量產。媒體報道稱，蘋果和英特爾可能將是首批客戶。 

此外，Siyoung Choi稱，2025年三星電子將推出基于MBCFET的2nm工藝，進入該工藝大規(guī)模生產的早期開發(fā)階段。 

除了3nm和2nm等先進制程，三星電子還首次推出了17nm FinFET專業(yè)工藝技術，該工藝適用于CIS（接觸式圖像傳感器）、DDI（顯示驅動IC）、MCU（微控制器）等領域。 

17nm FinFET專業(yè)工藝技術結合了28nm的后端工藝和14nm的前端工藝，Siyoung Choi認為，這一工藝能夠為客戶帶來顯著的成本優(yōu)勢，幫助客戶完成從28nm到14nm的過渡。 

▲三星電子17nm專業(yè)工藝特性

與28nm相比，三星電子的17nm FinFET專業(yè)工藝技術面積減少了43%，性能提高了39%，功率效率提高了49%。 

在5G技術的推動下，射頻（RF）技術正成為行業(yè)的關鍵，但是射頻技術并不適應設備的幾何縮放。通過異構集成等創(chuàng)新技術，三星電子的8nm射頻平臺將改變發(fā)展曲線，提升市場競爭力。除此之外，三星電子還正在推進基于14nm工藝的3.3V磁性隨機存取存儲器（eMRAM），從而提升寫入速度和密度。 

▲邏輯芯片和射頻芯片性能趨勢

02.平澤將成GAA芯片生產基地，美國新晶圓廠地址考慮中

在晶圓代工方面，Siyoung Choi提到三星電子是第一個將EUV（極紫外）技術引入大規(guī)模生產的廠商，三星電子在這一領域的經驗將使其能夠減少擴充產能所需的時間。 

當前，三星電子在全球共有4個晶圓制造基地。在韓國，三個晶圓廠位置較近，可以共享基礎設施。其中三星計劃在平澤擴充產能，生產基于GAA結構的產品。 

▲三星電子代工廠分布

在美國，三星除了在得克薩斯州奧斯汀外，還計劃建設新的晶圓廠。但Siyoung Choi并沒有透露更多的信息，僅告知有幾處地點正在考慮中，具體信息將在之后宣布。 

他談道，三星電子的代工業(yè)務重點是高性能計算（HPC）和人工智能（AI）、物聯(lián)網、汽車3個平臺。三星電子能夠為每一個產品提供全面的解決方案，幫助客戶更快完成發(fā)布。 

具體來說，在高性能計算和人工智能領域，三星電子能夠提供Large die設計方法、2.5D和3D先進封裝技術、高性能IP等；在移動和物聯(lián)網領域，三星電子能夠提供低功耗設計方法、安全互連IP和嵌入式MRAM產品；在汽車領域，其產品符合ISO 26262和AEC-Q100安全認證。 

最后他分享稱，三星正在和IBM這樣的公司在人工智能、高性能計算等領域進行合作，覆蓋工藝開發(fā)到高性能芯片等各個方面。 

03.2nm開戰(zhàn)：IBM率先發(fā)布，臺積電2024年量產

當下，三星、英特爾、臺積電等廠商都已瞄準了3nm以下的先進制程。 

據路透社報道，三星、IBM和英特爾已簽署聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，共同研發(fā)2nm制程工藝。今年5月，IBM率先發(fā)布全球首個2nm制程工藝，預計能夠在“指甲蓋大小的芯片上”集成約500億個晶體管，但該工藝距離量產仍有距離。 

外媒報道稱，IBM的2nm工藝或能實現在芯片上每平方毫米集成3.33億個晶體管，遠超此前三星5nm工藝的每平方毫米約1.27億晶體管數量，極大地提升了芯片性能。 

▲IBM、臺積電、英特爾、三星各制程節(jié)點晶體管密度對比（來源：AnandTech）

面對三星、英特爾和IBM的聯(lián)合開發(fā)，晶圓代工龍頭臺積電也加大了對先進制程的研發(fā)投入。據媒體報道，臺積電預計將在2024年實現2nm工藝的量產，全面量產則可能要到2025年-2026年。 

除了上述芯片廠商，歐盟也提出了2nm芯片戰(zhàn)略。今年3月，歐盟提出最新的數字化轉型目標，要求在2030年實現2nm邏輯芯片的生產。9月份，歐盟又推動設立新的《歐洲芯片法》，意圖打造最先進的歐洲芯片生態(tài)系統(tǒng)。 

04.結語：2/3nm研發(fā)競賽或影響代工市場走向

因為缺芯加劇，晶圓代工領域受到了極大關注。臺積電、英特爾、三星電子等都加大了對先進制程研發(fā)和晶圓產能擴張的投入。 

隨著芯片尺寸逼近物理極限，芯片制程推進十分困難，“摩爾定律失效”不斷被行業(yè)提起。盡管如此，臺積電、英特爾、三星等巨頭不會放棄對3/2nm甚至1nm的先進制程研發(fā)，這場競賽更將影響未來代工市場的走向。 

本文來自微信公眾號 “芯東西”（ID：aichip001），作者：高 歌，36氪經授權發(fā)布。