下代iPhone要換QLC?元器件漲價(jià)蘋(píng)果也頂不住
早在2018年,錘子科技就將1TB存儲(chǔ)引入到了智能手機(jī)中,時(shí)隔三年后,蘋(píng)果也為iPhone 13 Pro/iPhone 13 Pro Max帶來(lái)了1TB存儲(chǔ)的版本。然而日前有研究報(bào)告指出,芯片短缺問(wèn)題或?qū)⑵仁固O(píng)果與QLC NAND閃存供應(yīng)商合作,在明年的下代iPhone中使用QLC閃存顆粒,并且最大可能會(huì)提升至2TB。
而在目前,iPhone 13系列所使用的閃存顆粒是TLC。看到這里,如果有些朋友對(duì)于數(shù)碼產(chǎn)品不甚了解,或許會(huì)對(duì)“TLC”和“QLC”一頭霧水。事實(shí)上,TLC、QLC、SLC,以及MLC是閃存顆粒的類(lèi)型,都屬于東芝在1989年推出的NAND Flash架構(gòu),作為非易失性存儲(chǔ)芯片,NAND Flash具有存儲(chǔ)容量大、寫(xiě)入/擦除速度快等特點(diǎn),適合存儲(chǔ)信息,也就是我們俗稱(chēng)的SSD固態(tài)硬盤(pán)。
SLC、MLC、TLC和QLC其實(shí)是按照儲(chǔ)存單元(cell)里存儲(chǔ)的信息數(shù)量來(lái)進(jìn)行區(qū)分,其中SLC是固態(tài)硬盤(pán)的最初形態(tài),每個(gè)儲(chǔ)存單元只儲(chǔ)存1bit的電位,只有0、1兩種電壓狀態(tài);MLC的每個(gè)儲(chǔ)存單元儲(chǔ)存2bit的電位,有2^2=4種電壓狀態(tài);TLC的每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)3bit信息,有2^3=8種電壓狀態(tài);QLC的每個(gè)存儲(chǔ)單元?jiǎng)t可存儲(chǔ)4bit信息,有2^4=16種電壓狀態(tài)。
既然每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的信息提升了,自然也就意味著在同一尺寸的晶圓上,假如QLC顆粒能夠做到1TB的容量,那么TLC就只能做512GB,MLC能做256G,SLC上就可以做到128GB了。不過(guò)由于閃存存儲(chǔ)信息的模式,是通過(guò)遂穿效應(yīng)讓存儲(chǔ)單元捕獲電子來(lái)實(shí)現(xiàn),這就意味著密度增大的同時(shí),會(huì)導(dǎo)致不同電壓狀態(tài)變多且越難控制,使得寫(xiě)入所用時(shí)間變長(zhǎng)、理論擦寫(xiě)次數(shù)減少,以及讀寫(xiě)速度減小等情況出現(xiàn)。
因此SLC的性能最強(qiáng)、壽命最長(zhǎng)、成本最高,但容量最低;而QLC的性能雖然最弱、壽命最短、成本最低,但容量卻是最大的。所以盡管蘋(píng)果方面按慣例并未對(duì)此表態(tài),但即便其不得已除此下策,原因則一方面是因?yàn)槟壳鞍雽?dǎo)體行業(yè)產(chǎn)能緊缺,另一方面是消費(fèi)者對(duì)于大容量存儲(chǔ)的需求不斷上漲。
眾所周知,自此次疫情爆發(fā)以來(lái),就使得許多工廠(chǎng)無(wú)法全速運(yùn)轉(zhuǎn),并直接讓半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)能受到了極大的沖擊。別看NAND閃存的產(chǎn)能在2017年上一輪擴(kuò)張后就呈現(xiàn)出產(chǎn)能過(guò)剩的問(wèn)題,但是存儲(chǔ)芯片一直都是全球集成電路市場(chǎng)銷(xiāo)售份額占比最高的分支,所以自然也就受到了最大的影響。
如今相當(dāng)多市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)的報(bào)告都指出了一個(gè)事實(shí),那就是存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商目前的庫(kù)存也維持在了相對(duì)較低的水平,存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商認(rèn)為漲價(jià)對(duì)于銷(xiāo)售沒(méi)有影響,使得NAND閃存因缺貨漲價(jià)已經(jīng)成為了事實(shí)。而iPhone 13系列之所以并未漲價(jià),除了匯率的因素外,蘋(píng)果強(qiáng)大的供應(yīng)鏈管理能力使得其能夠在提前訂貨、規(guī)劃產(chǎn)能的前提下,讓其在這一輪元器件漲價(jià)潮里可以獨(dú)善其身,但明年可能就不好說(shuō)了。
如果蘋(píng)果不在成本控制上想辦法,那么也就只能通過(guò)漲價(jià),來(lái)將成本上浮的代價(jià)轉(zhuǎn)嫁給消費(fèi)者。然而,漲價(jià)顯然與其目前的戰(zhàn)略方向會(huì)有沖突,同時(shí)蘋(píng)果早已在發(fā)力服務(wù)業(yè)務(wù),而通過(guò)用戶(hù)增長(zhǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)服務(wù)業(yè)務(wù)也是其中的重點(diǎn),但漲價(jià)則必然會(huì)將部分用戶(hù)推向Android陣營(yíng)。
另外一點(diǎn)則是隨著消費(fèi)者對(duì)于大容量存儲(chǔ)需求的水漲船高,新款iPhone同樣要在機(jī)身體型變化不大的情況下提供更大的存儲(chǔ)容量。在如今iPhone機(jī)身內(nèi)部集成度已經(jīng)非常高的情況下,密度更高的閃存顆粒自然也就能派上用場(chǎng)了。
不過(guò)相信絕大多數(shù)朋友并不關(guān)心QLC還是TLC,更在意的是換用了QLC顆粒后,對(duì)于實(shí)際使用體驗(yàn)是否會(huì)有影響。事實(shí)上,如果換用QLC顆粒,未來(lái)新款iPhone 14在專(zhuān)業(yè)評(píng)測(cè)軟件的讀寫(xiě)測(cè)試成績(jī)大概率將會(huì)受到影響,畢竟QLC在性能上不如TLC,但在實(shí)際的使用中,用戶(hù)卻很難在感受到太多的差異。
而之所以這樣說(shuō),是因?yàn)槠鋵?shí)早在iPhone 6時(shí)代,蘋(píng)果就已經(jīng)在閃存上混用MLC和TLC了,但當(dāng)時(shí)并沒(méi)有太多用戶(hù)表示有體驗(yàn)的差異。甚至于iPhone 6還成為了蘋(píng)果產(chǎn)品線(xiàn)里知名的“釘子戶(hù)”,大量iPhone 6用戶(hù)甚至堅(jiān)持使用了數(shù)年之久。
蘋(píng)果在iPhone 6上將MLC與TLC顆?;煊茫瑳](méi)有導(dǎo)致在運(yùn)行速度上有差異的直接原因,其實(shí)是手機(jī)面對(duì)大容量讀寫(xiě)的場(chǎng)景并不多,而下載軟件需要1分鐘和1分10秒的差距也很難讓用戶(hù)精準(zhǔn)地感知出來(lái)。其次SLC緩存(高速緩沖存儲(chǔ)器)的加入,也有著不少的功勞。
通常,用戶(hù)往往很少會(huì)將SSD或者手機(jī)的存儲(chǔ)空間填滿(mǎn),所以存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商就利用其中的部分存儲(chǔ)空間,將其模擬為性能最強(qiáng)的SLC顆粒進(jìn)行工作。例如在一塊2TB的QLC SSD中,廠(chǎng)商設(shè)計(jì)了10GB的SLC緩存,使得其在傳輸10GB以下文件時(shí),這塊QLC顆粒的SSD實(shí)際上是使用SLC的工作模式,只用當(dāng)10GB緩存用完后,才會(huì)“原形畢露”。
目前大家對(duì)SSD進(jìn)行測(cè)試時(shí)就會(huì)發(fā)現(xiàn),開(kāi)始的時(shí)候速度很快,但往往過(guò)一會(huì)速度就會(huì)出現(xiàn)斷崖式下跌,這就是SLC緩存技術(shù)所造成的。而大家感受到SSD越用越卡,也是因?yàn)殡S著空間逐漸被填滿(mǎn),SLC緩存逐漸被擠壓的緣故。并且對(duì)于QLC性能不足的問(wèn)題,Intel等廠(chǎng)商也已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了例如多通道、多Die等,利用高并發(fā)對(duì)性能進(jìn)行補(bǔ)償?shù)募夹g(shù)。
而到了iPhone上,存儲(chǔ)空間被填滿(mǎn)的問(wèn)題同樣也不是很?chē)?yán)峻,畢竟蘋(píng)果為其提供了iCloud。再加上,用戶(hù)使用手機(jī)傳輸大文件的情況鮮有發(fā)生,再加上有SLC緩存技術(shù)托底,在元器件成本必然上漲的情況下,未來(lái)iPhone使用QLC顆粒還真不是完全沒(méi)有可能。
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