稍早前，臺(tái)積電CEO魏哲家公開(kāi)表示，臺(tái)積電將在今年內(nèi)風(fēng)險(xiǎn)投產(chǎn)3nm N3工藝，并在2022年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，2023年一季度將會(huì)獲得實(shí)際收入。而臺(tái)積電的2nm N2工藝則在2025年量產(chǎn)，并強(qiáng)調(diào)無(wú)論集成密度還是性能都是業(yè)內(nèi)最好的，此前臺(tái)積電表示該工藝考慮使用GAAFET(環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。

據(jù)稱，臺(tái)積電的3nm N3工藝是5nm N5工藝之后的全新節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電表示3nm N3的經(jīng)過(guò)密度可增加70％，同等功耗下性能可提升10-15％，同等性能下功耗可降低25-30％，但是整體更加復(fù)雜，整個(gè)工藝流程的工序超過(guò)1000道。

而臺(tái)積電的一大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，三星在此前已經(jīng)宣布，2022年初量產(chǎn)3nm 3GAE低功耗版，次年初量產(chǎn)3nm 3GAP高性能版，而2nm 2GAP工藝則將在2025年量產(chǎn)。